提升机厂家
免费服务热线

Free service

hotline

010-00000000
提升机厂家
热门搜索:
技术资讯
当前位置:首页 > 技术资讯

M57958LIGBT厚膜驱动器集成电路

发布时间:2020-07-21 18:30:30 阅读: 来源:提升机厂家

1引脚排列与名称、功能及用法 M57957L与M57958L均采用单列直插式标准8脚厚膜集成电路封装。其外形和引脚排列如图1所示,各引脚的名称、功能及用法可参见表1所列。 2内部结构及工作原理简述 M57957L与M57958L的内部结构和工作原理如图2所示。由图可知,它们的内部集成有光耦、接口及功放单元。其工作原理可简述为:来自脉冲形成单元的驱动信号为高电平时光耦导通,接口电路把该信号整形后由功放级的两级达林顿NPN晶体管放大后输出,驱动功率IGBT模块导通。在驱动信号为低电平时光耦截止,此时接口电路输出亦为低电平,功放输出级PNP晶体管导通,给被驱动的功率IGBT栅?射极间施加以反向电压,使被驱动功率IGBT模块恢复关断状态。 引脚号 符号 名称或功能 用法 1 VIN- 驱动脉冲输入负端 使用中通过一反相器接用户脉冲形成电路的输出 2 VIN+ 驱动脉冲输入正端 使用中通过一电阻接用户脉冲形成部分电源 5 GND 驱动脉冲输出地端 接驱动脉冲输出级电源地端,该端电位应与用户脉冲形成部分完全隔离 6 VCC 驱动功放级正电源端 接用户提供的驱动脉冲功放级正电源端 7 Vout 驱动脉冲输出端 直接接被驱动IGBT栅极 8 VEE 驱动功放级负电源端 接用户提供的驱动脉冲功放级负电源端 表1M57957L/M57958L的引脚说明 图1M57957L/M57958L的引脚排列示图 (原图,未做格式转换) 图2M57957L/M57958L的内部结构及工作原理图 图3M57957L与M57958L的典型应用接线图 图4M57957L与M57958L的典型工作波形 3主要设计特点、极限参数、电参数及推荐工作条件 3?1主要设计特点 (1)功耗较小,可以采用密集型的单列直插式厚 膜电路封装; (2)单电源工作,供电极为简化; (3)外接串联电阻可输入CMOS信号,输入信号 与TTL电平兼容; (4)内置高速光电耦合器,可隔离2500V、50Hz 的交流电压。 3?2极限参数、电参数及推荐工作条件 M57957L与M57958L的极限工作参数如表2所列。 表2M57957L/M57958L的极限参数(Ta=25°C) 符号 参数 测试条件 极限值 单位 VCC 电源电压 直流 18 V VEE -12 V VI 输入电压 加于引脚①-②之间 -1~+7 V V0 输出电压 高电平输出电压 VCC V IOHP 输出电流 脉冲宽度2μs,f=30kHz -5 A IOLP +5 A IOH 直流 0.2 A Viso 绝缘电压 正弦波电压,60Hz,1分钟 2500 V Tj 结温 100 ℃ Topr 工作温度 -20~+70 ℃ Tstg 贮存温度 -25~+100 ℃ M57957L与M57958L的电性能参数完全相同,该部分参数如表3所列。 4应用技术 M57957L与M57958L的上述结构和原理,决定了它可以用于单管IGBT模块的驱动中。图3给出了这种应用的典型接线图,图4给出了其典型工作波形。 表3M57957L与M57958L的电性能参数(Ta=25°C、VCC=15V、VEE=-10V) 符号 参数 测试条件 参数规范 单位 最小 典型 最大 VCC 电源电压 推荐值范围 14 15 - V VEE -9 -10 - V VIN 输入上拉电压 推荐值范围 4.75 5 5.25 V IIH 高电平输入电流 VIN=5V,R=185Ω - 16 - mA VOH 高电平输出电压 13 14 - V VOL 低电平输出电压 -8 -9 - V tPLH “低电平→高电平”传输延迟时间 VIN=0→4VTj=100℃ - 1 1.5 μs tr “低电平→高电平”传输上升时间 VIN=0→4VTj=100℃ - 0.6 1 μs tPHL “高电平→低电平”传输延迟时间 VIN=5→0VTj=100℃ - 1 1.5 μs tf “高电平→低电平”传输下降时间 VIN=5→0VTj=100℃ - 0.4 1 μs 应注意的是,栅极串联电阻Rext的值应与在有关IGBT模块数据表中推荐的栅极电阻值相同。 5结语 M57957L/M57958L内部集成有可在输入与输出之间实现良好电气隔离的光电隔离器,所以可对被驱动的IGBT模块实现可靠的驱动。M57957L可用来直接驱动Vces=600V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块及Vces=1200V系列的电流容量在100A以内的IGBT模块;而M57958L可用来直接驱动Vces=600V系列的电流容量在400A以内的IGBT模块及Vces=1200V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块。它们均采用双电源驱动技术,输入信号与TTL电平兼容,且采用单列直插式厚膜集成电路封装。

昆明热玛吉医院

南京磨骨价格

哈尔滨双眼皮修复

济南磨骨价格